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    • 专利摘要:
    本發明提供一種只要僅載置在靜電夾持裝置之載置面，就不需要使用成為製品的半導體晶圓本身，而可容易地使靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性最適化的溫度測定用板狀體及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置。這種溫度測定用晶圓（溫度測定用板狀體）（1）係在晶圓（2）的表面（2a）整面黏貼有絕緣性接著劑（3），在該絕緣性接著劑（3）上設有加熱元件（4），在該絕緣性接著劑（3）之表面（3a）上之除了加熱元件（4）以外的區域，設有用來測定晶圓（2）之表面（2a）之溫度的溫度測定區域（5），這些加熱元件（4）及溫度測定區域（5）是由絕緣膜（6）所包覆。
    公开号:TW201316450A
    申请号:TW101130389
    申请日:2012-08-22
    公开日:2013-04-16
    发明作者:Mamoru Kosakai；Kazunori Ishimura；Takeshi Watanabe；Hitoshi Kouno；Ryuuji Hayahara
    申请人:Sumitomo Osaka Cement Co Ltd；
    IPC主号:G01K13-00
    专利说明:
    溫度測定用板狀體及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置
    本發明是關於一種溫度測定用板狀體及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置，更詳言之，是關於一種可在半導體製程中，簡單且即時地評估用來載置半導體晶圓等之板狀試料的靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性的溫度測定用板狀體及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置。
    本申請案是根據在2011年8月26日於日本提出申請的特願2011-185124號主張優先權，並在此沿用其內容。
    近年來，在半導體製程中，隨著元件的高積體化及高性能化，微細加工技術需要更進一步的提升。在該半導體製程中，蝕刻技術也是微細加工的重要技術之一，近年來，在蝕刻技術中，可進行高效率且大面積之微細加工的電漿蝕刻技術成為主流。
    在電漿蝕刻裝置等使用電漿的半導體製造裝置中，以往一直是使用一種靜電夾持裝置，以作為將晶圓簡單地安裝並固定在試料台，並且使該晶圓維持在所希望之溫度的裝置。
    又，習知的靜電夾持裝置中，使成為製品的半導體晶圓等之板狀試料實際輸送在半導體製造生產線上時，必須事先將該半導體製造生產線上的靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布升溫特性及降溫時之冷卻特性調整成最適值的範圍，因此提案一種利用耐熱水泥將熱電耦之溫接點分別接著/固定在散布於晶圓表面的複數個凹部之附有溫度感測器的晶圓(專利文獻1)。
    使用該附有溫度感測器的晶圓使半導體製造生產線上的靜電夾持裝置之製造條件最適化的情況時，是採用將該附有溫度感測器的晶圓載置在靜電夾持裝置之載置面，在使載置有該附有溫度感測器的晶圓的靜電夾持裝置輸送於半導體製造生產線內之期間，藉由溫度感測器即時地測定晶圓之溫度的方法。 (先前技術文獻) (專利文獻)
    專利文獻1：日本專利第3663035號公報
    然而，上述習知之附有溫度感測器的晶圓，為了使靜電夾持裝置之製造條件最適化，係採用試著使該附有溫度感測器的晶圓實際輸送在半導體製造生產線上以使製造條件最適化的方法，因此，產生有附有溫度感測器的晶圓本身因為靜電夾持裝置之條件最適化而消耗的問題點。
    而且，必須使用內建在靜電夾持裝置的加熱器，或是使用半導體裝置的電漿照射或外部加熱器來進行附有溫度感測器的晶圓之加熱，靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性的最適值化的過程會變得繁雜，因而產生有達到最適值化為止耗費時間的問題點。
    而且，即使在不使附有溫度感測器的晶圓實際輸送在半導體製造裝置來使用的情況下，也必須使用外部加熱器來進行附有溫度感測器的晶圓之加熱，同樣地，靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性降溫時之冷卻特性的最適值化的過程會變得繁雜，因而產生有達到最適值化為止耗費時間的問題點。
    本發明是鑒於上述情況而研創者，其目的在於提供一種只要僅載置在靜電夾持裝置之載置面，就不需要使用成為製品的半導體晶圓本身，而可容易使靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性最適化的溫度測定用板狀體及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置。
    本案發明者等為了解決上述課題而進行精心研究的結果發現，只要在載置於靜電夾持裝置之載置面的板狀體的一方主面設置加熱構件，並且在該主面上之除了加熱構件以外的區域設置用來測定該板狀體之溫度的溫度測定區域，即可使用溫度記錄器、光溫度計、放射溫度計等非接觸式溫度測定裝置、或是熱電耦等接觸式溫度測定裝置，即時地測定該溫度測定區域的實際溫度、也就是板狀體的實際表面溫度，因此，可簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性，而完成本發明。
    亦即，本發明之溫度測定用板狀體的特徵為：在板狀體的一方主面設置加熱構件，並且在前述一方主面上之除了前述加熱構件以外的區域的一部分設置用來測定前述板狀體之溫度的溫度測定區域。
    該溫度測定用板狀體中，在將該溫度測定用板狀體載置於靜電夾持裝置之載置面的狀態下，係使用設在該溫度測定用板狀體的加熱構件來進行加熱，因此可使用溫度記錄器、光溫度計、放射溫度計等非接觸式溫度測定裝置即時地測定溫度測定區域的實際溫度。藉此，便可即時地測定該板狀體之溫度測定區域的實際表面溫度，因而可根據該測定值簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性。
    本發明之溫度測定用板狀體中，前述加熱構件為金屬箔，該金屬箔係經由絕緣性接著劑接著在前述一方主面。
    該溫度測定用板狀體是將加熱構件設定為金屬箔，並將該金屬箔經由絕緣性接著劑接著在一方主面，因此加熱構件與板狀體之間的熱傳達率是固定的。
    本發明之溫度測定用板狀體中，前述板狀體是由矽、碳化矽、氮化矽、III-V屬化合物半導體、II-VI屬化合物半導體中之任一種所構成。
    該溫度測定用板狀體中，由於板狀體為矽、碳化矽、氮化矽、III-V屬化合物半導體、II-VI屬化合物半導體中之任一種，因此可獲得與使用成為製品之半導體晶圓的情形相同的靜電夾持裝置之載置面的評價。
    本發明之溫度測定用板狀體中，前述加熱構件是由絕緣膜所包覆。
    該溫度測定用板狀體中，由於是藉由絕緣膜來包覆加熱構件，因此可良好地保持加熱構件的絕緣性。而且，藉由絕緣膜的包覆，便可進行使用溫度記錄器的溫度測定。
    本發明之溫度測定用板狀體中，前述絕緣性接著劑包含丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑、聚醯亞胺聚醯胺系接著劑中之任一種。
    該溫度測定用板狀體中，由於絕緣性接著劑包含丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑、聚醯亞胺醯胺系接著劑中之任一種，因此板狀體與加熱構件之間的應力得以緩和，不用擔心會發生加熱構件從板狀體剝離等的不良情況。
    本發明之溫度測定用板狀體中，是將熱電耦連接在前述溫度測定區域而構成。
    該溫度測定用板狀體中，由於是將熱電耦連接在溫度測定區域，因此可使用熱電耦即時地直接測定溫度測定區域的實際溫度。藉此，便可即時並正確地測定該板狀體之溫度測定區域的實際表面溫度。
    本發明之溫度測定裝置的特徵為：具備本發明之溫度測定用板狀體。
    該溫度測定裝置中，由於具備本發明之溫度測定用板狀體，因此可簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性。
    根據本發明之溫度測定用板狀體，由於是在板狀體的一方主面設置加熱構件，並且在前述一方主面上之除了前述加熱構件以外的區域設置用來測定前述板狀體之溫度的溫度測定區域，因此藉由在將該溫度測定用板狀體載置於靜電夾持裝置之載置面的狀態下，使用內建的加熱構件來加熱該溫度測定用板狀體，即可使用溫度記錄器、光溫度計、放射溫度計等非接觸式溫度測定裝置即時地測定溫度測定區域的實際溫度。因此，可即時地測定該溫度測定區域的實際表面溫度，且可根據該測定值簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性。
    根據本發明之溫度測定裝置，由於具備本發明之溫度測定用板狀體，因此可使用該溫度測定用板狀體，簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布及升溫特性及降溫時之冷卻特性。
    針對本發明之溫度測定用板狀體以及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置的實施形態，根據圖式加以說明。
    此外，該形態是為了使發明之主旨更容易理解而加以具體說明，只要沒特別的指定，就不會限定本發明。 「第1實施形態」
    第1圖是本發明第1實施形態的溫度測定用晶圓(溫度測定用板狀體)的平面圖，第2圖是沿著第1圖之A-B線的剖面圖。
    該溫度測定用晶圓1是在晶圓(板狀體)2的表面(一方主面)2a整面黏貼有絕緣性接著劑3，在該絕緣性接著劑3上設有具有大致蛇行狀之既定圖案的加熱元件(加熱構件)4。而且，在該絕緣性接著劑3之表面3a上之除了加熱元件4以外的區域中的既定部位(一部分)，設有用來測定晶圓2之表面2a之溫度的大致圓形形狀的溫度測定區域5。
    這些加熱元件4及溫度測定區域5是由紅外線透過率80%以上的絕緣膜6所包覆。此外，符號11、12是設在加熱元件4之兩端部的電壓施加用電極，符號13是將晶圓2定位用的缺口。
    晶圓2是成為製品的半導體晶圓等之板狀試料，最好直接使用在實際的半導體製造生產線上輸送的板狀試料。
    該晶圓2例如可為矽晶圓、SiC(碳化矽)晶圓、Si3N4(氮化矽)晶圓、GaAs、GaAs等的III-V屬化合物半導體晶圓、ZnSe等的II-VI屬化合物半導體晶圓等，且可配合成為製品的半導體晶圓適當地選擇來使用。
    該晶圓2的大小及形狀是只要配合用來載置該溫度測定用晶圓1的靜電夾持裝置適當選擇即可，沒有特別的限制。
    絕緣性接著劑3是具有耐熱性及絕緣性的片狀或薄膜狀的接著劑，是以丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑、聚醯亞胺聚醯胺系接著劑中之任一種為主要成分的接著劑。
    該絕緣性接著劑3的厚度最好在5μm以上100μm以下，更佳為15μm以上50μm以下。該絕緣性接著劑3之面內的厚度不均最好在其厚度的10%以內。
    在此，若絕緣性接著劑3之面內的厚度不均超過10%，則在晶圓2與加熱元件4的面內間隔會發生超過絕緣性接著劑3之面內厚度之10%的不均，從加熱元件4傳達至晶圓2的熱的面內均勻性會降低，結果，晶圓2之表面2a的面內溫度會變得不均，因而無法使靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性最適化，因此並不理想。
    加熱元件4是藉由對電力施加用電極11、12施加既定的電壓而發熱者，因此是由具有既定之圖案的非磁性金屬箔所構成者。
    在此是將使一條金屬細線蛇行而使整體形狀形成扇形狀的元件片繞著中心軸排列八片，並將這些連接而形成一條加熱元件4。此外，第1圖的加熱元件4的圖案係顯示出一例，可配合對象之半導體晶圓的處理或用途而適當變更。
    該加熱元件4係具有厚度300μm以下、較佳為100μm以下之一定厚度的非磁性金屬箔，可藉由光微影法，將例如鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等高熔點金屬箔蝕刻加工成所希望之加熱器圖案而形成。
    在此，將加熱元件4之厚度設定為300μm以下的理由是，當厚度超過300μm時，加熱元件的線寬會變細，因此蝕刻加工的精確度不均會變大，結果，晶圓2之表面的溫度分布會產生變化，因而無法正確地測定晶圓2之表面的溫度分布。
    而且，只要使用非磁性金屬箔形成加熱元件4，即使在高頻環境中使用該溫度測定用晶圓1，加熱元件也不會因為高頻而自發熱，因此，容易維持該溫度測定用晶圓1的面內溫度，相當理想。
    溫度測定區域5是直徑2mm至15mm的大致圓形狀之區域，可使用溫度記錄器、光溫度計、放射溫度計等非接觸式溫度測定裝置即時地測定該溫度測定區域5的溫度。
    該溫度測定區域5所形成的位置係為了正確地顯示晶圓2之面內溫度分布而選擇，俾正確地知道載置有溫度測定用晶圓1的靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性。在此，是以十字形狀散布在晶圓2的表面，各溫度測定區域5是彼此隔著既定的間隔而排列成一列。
    絕緣膜6是為了可使用溫度記錄器來測定溫度測定區域5之溫度而設置者，因此是由可利用溫度記錄器進行測定之具有耐熱性及絕緣性的片狀或薄膜狀的鐵氟龍(註冊商標)、聚醯亞胺、聚醯胺等所構成。該絕緣膜6是只要可利用溫度記錄器來測定紅外線穿透率即可，該情況的紅外線穿透率最好在80%以下。
    藉由使用該絕緣膜6，利用溫度記錄器來測定時，可防止因為溫度記錄器之映入，以致溫度記錄器本身的溫度影響到測定值。而且，使用溫度記錄器進行溫度測定時，溫度的測定結果會因為被測定物的輻射率而改變，但是藉由使用該絕緣膜6，可使加熱元件4與絕緣性接著劑3等成為相同的輻射率，因此溫度的測定精確度會提升。
    該絕緣膜6在此雖是包覆加熱元件4及溫度測定區域5整體，但若是使用溫度記錄器來測定溫度測定區域5的溫度，則亦可為僅包覆溫度測定區域5的構造。
    接著，針對該溫度測定用晶圓1之製造方法加以說明。
    首先，從成為製品的半導體晶圓等之板狀試料選擇在目標半導體製造生產線上輸送的晶圓2。
    接下來，在該晶圓2上貼附片狀或薄膜狀之屬於接著劑的絕緣性接著劑3。
    接下來，在該絕緣性接著劑3上黏貼鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等非磁性金屬箔，並利用光微影法蝕刻加工成所希望的加熱器圖案而作為加熱元件4。在該蝕刻加工時，溫度測定區域5也會同時形成。
    接下來，以包覆加熱元件4及溫度測定區域5整體的方式形成絕緣膜6。該絕緣膜6係在考慮利用溫度記錄器進行測定時，為了防止溫度記錄器主體及室外壁等之紅外線的映入，可藉由黏貼具有耐熱性及絕緣性之片狀或薄膜狀的鐵氟龍(註冊商標)、聚醯亞胺、聚醯胺等而形成。
    依據以上的步驟可製作出溫度測定用晶圓1。
    第3圖是具備本實施形態之溫度測定用晶圓1的溫度測定裝置21的示意圖，該溫度測定裝置21是在可調節環境之種類、溫度、濕度、壓力等的密閉容器22的底部，具有用來收納供溫度測定用晶圓1載置的靜電夾持裝置31的空間23，在與該空間23相對向的密閉容器22之頂板的外側，設有可藉由被接觸方式測定表面溫度的溫度記錄器24，該溫度記錄器24係經由形成在頂板的窗口25來測定收納在空間23內的靜電夾持裝置31的表面溫度。
    針對使用該溫度測定裝置21來測定靜電夾持裝置之面內溫度、升溫特性及降溫時之冷卻特性等諸特性的方法加以說明。
    首先，將本實施形態之溫度測定用晶圓1載置在靜電夾持裝置31的載置面。
    該靜電夾持裝置31具備：圓板狀的靜電夾持部32；以及使該靜電夾持部32冷卻至所希望之溫度且具有厚度的圓板狀之冷卻基座部33。
    該靜電夾持部32亦可內建有用來加熱矽晶圓等之板狀試料的加熱器。
    接下來，將載置有該溫度測定用晶圓1的靜電夾持裝置31配置在密閉容器22之底部的空間23上，並調整該密閉容器22內的環境、溫度、壓力等。
    例如，調整成真空環境、溫度60℃。此外，亦可將所希望的氣體導入密閉容器22內再調整環境、溫度、壓力等。
    接下來，利用溫度記錄器24即時地測定溫度測定用晶圓1之複數個溫度測定區域5的溫度，並且對溫度測定用晶圓1的加熱元件4施加電壓，將該溫度測定用晶圓1加熱至半導體製程中所要達到的目標晶圓溫度。
    利用該溫度記錄器24測定的結果，可知溫度測定用晶圓1之晶圓2的升溫特性。因此，可簡單並且即時地評估靜電夾持裝置31之載置面的升溫特性。
    預估該溫度測定用晶圓1的溫度穩定在目標晶圓溫度時，利用溫度記錄器24即時地依序測定溫度測定用晶圓1之複數個溫度測定區域5的溫度。
    利用溫度記錄器24之測定結果，得知溫度測定用晶圓1之晶圓2的面內溫度分布。因此，可簡單且即時地評估靜電夾持裝置31之載置面的面內溫度分布。
    接下來，斷開對於溫度測定用晶圓1之加熱元件4的電壓施加，並藉由冷卻基座部33冷卻溫度測定用晶圓1，同時利用溫度記錄器24即時地依序測定溫度測定用晶圓1之複數個溫度測定區域5的溫度。
    利用溫度記錄器24測定的結果，可即時地得知溫度測定用晶圓1之晶圓2在冷卻過程的冷卻特性。因此，可簡單且即時地評估靜電夾持裝置31之載置面在冷卻過程的冷卻特性。
    使用該溫度測定用晶圓1評估靜電夾持裝置31之載置面在升溫過程的升溫特性及冷卻過程的冷卻特性的結果，即可在短時間內簡單地進行靜電夾持裝置之設計。
    根據本實施形態之溫度測定用晶圓1，由於是在晶圓2的表面2a整面黏貼絕緣性接著劑3，並且在該絕緣性接著劑3上設置加熱元件4，同時在除了該加熱元件4以外的區域中的既定部位(一部分)設置複數個大致圓形狀的溫度測定區域5，並且由絕緣膜6包覆這些加熱元件4及溫度測定區域5，因此可根據溫度測定區域5之表面溫度的測定值，簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布以及降溫時的冷卻特性。
    根據本實施形態之溫度測定裝置21，由於是在密閉容器22的底部設置用來收納供溫度測定用晶圓1載置用的靜電夾持裝置31的空間23，並且在與該空間23相對向的密閉容器22之頂板的外側設置溫度記錄器24，並利用該溫度記錄器24經由形成在頂板的窗口25來測定靜電夾持裝置31的表面溫度，因此可使用溫度測定用晶圓1簡單且即時地評估靜電夾持裝置31之載置面的面內溫度分布以及降溫時的冷卻特性。
    如此，由於可簡單地測定靜電夾持裝置31，因此亦可使用在靜電夾持裝置的出貨檢查及品管。
    此外，該溫度測定裝置21之構成是在密閉容器22之頂板的外側設置溫度記錄器24，並利用該溫度記錄器24經由形成在頂板的窗口25來測定靜電夾持裝置31的表面溫度，但即使取代溫度記錄器24，而使用光溫度計、放射溫度計等非接觸式溫度測定裝置，同樣可簡單且即時地評估靜電夾持裝置31之載置面的面內溫度分布以及降溫時的冷卻特性。 「第2實施形態」
    第4圖是本發明第2實施形態的溫度測定用晶圓(溫度測定用板狀體)的剖面圖，本實施形態之溫度測定用晶圓41與第1實施形態之溫度測定用晶圓1的不同點在於：第1實施形態之溫度測定用晶圓1是在絕緣性接著劑3上之除了加熱元件4以外的區域中的既定部位(一部分)設置溫度測定區域5，並且由紅外線透過率80%以下的絕緣膜6包覆這些加熱元件4及溫度測定區域5，相對於此，本實施形態之溫度測定用晶圓41是去除絕緣性接著劑3之相當於溫度測定區域的複數個部分，使這些部分的晶圓2之表面2a露出，並且將熱電耦42的溫接點部43接著固定在該露出的晶圓2之表面2a，並分別利用具有耐熱性及絕緣性的接著劑4將這些溫接點部43予以密封。
    該溫度測定用晶圓41係在對加熱元件4施加電壓，並將該溫度測定用晶圓41加熱至半導體製程中所要達到的目標晶圓溫度時，利用熱電耦42即時地依序測定溫度測定用晶圓41之複數個溫度測定區域的各個晶圓2之表面2a的溫度，因此可簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布。
    而且，由於是利用冷卻基座部33使溫度測定用晶圓41冷卻，並且利用熱電耦42即時地依序測定溫度測定用晶圓41之複數個溫度測定區域的各個晶圓2之表面2a的溫度，因此可簡單且即時地評估靜電夾持裝置之載置面在冷卻過程的冷卻特性。
    此外，本實施形態之溫度測定用晶圓41雖利用接著劑44將熱電耦42的溫接點部43密封在露出的晶圓2之表面2a的所有各個複數個溫度測定區域，但熱電耦42並不需要設在所有各個溫度測定區域5，亦可僅選擇複數個晶圓2之表面2a中必要的溫度測定區域並使其露出，並將熱電耦42的溫接點部43接著固定在這些露出的晶圓2的表面2a，並利用接著劑44予以密封。 (產業上之可利用性)
    本發明係可適用在溫度測定用板狀體以及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置，更詳言之，可適用在可簡單且即時地評估半導體製程中用來載置半導體晶圓等之板狀試料的靜電夾持裝置之載置面的面內溫度分布、升溫特性及降溫時之冷卻特性的溫度測定用板狀體以及具備該溫度測定用板狀體之溫度測定裝置。
    1‧‧‧溫度測定用晶圓(溫度測定用板狀體)
    2‧‧‧晶圓(板狀體)
    2a‧‧‧表面(一方主面)
    3‧‧‧絕緣性接著劑
    3a‧‧‧表面
    4‧‧‧加熱元件(加熱構件)
    5‧‧‧溫度測定區域
    6‧‧‧絕緣膜
    11、12‧‧‧電壓施加用電極
    13‧‧‧缺口
    21‧‧‧溫度測定裝置
    22‧‧‧密閉容器
    23‧‧‧空間
    24‧‧‧溫度記錄器
    25‧‧‧窗口
    31‧‧‧靜電夾持裝置
    32‧‧‧靜電夾持部
    33‧‧‧冷卻基座部
    41‧‧‧溫度測定用晶圓(溫度測定用板狀體)
    42‧‧‧熱電耦
    43‧‧‧溫接點部
    44‧‧‧接著劑
    第1圖是本發明第1實施形態的溫度測定用板狀體的平面圖。
    第2圖是沿著第1圖之A-B線的剖面圖。
    第3圖是具備本發明第1實施形態的溫度測定用板狀體的溫度測定裝置的示意圖。
    第4圖是顯示本發明第2實施形態的溫度測定用板狀體的剖面圖。
    1‧‧‧溫度測定用晶圓(溫度測定用板狀體)
    2‧‧‧晶圓(板狀體)
    2a‧‧‧表面(一方主面)
    3‧‧‧絕緣性接著劑
    3a‧‧‧表面
    4‧‧‧加熱元件(加熱構件)
    5‧‧‧溫度測定區域
    6‧‧‧絕緣膜
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種溫度測定用板狀體，係在板狀體的一方主面設置加熱構件，並且在前述一方主面上之除了前述加熱構件以外的區域的一部分設置用來測定前述板狀體之溫度的溫度測定區域。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之溫度測定用板狀體，其中，前述加熱構件為金屬箔，該金屬箔係經由絕緣性接著劑接著在前述一方主面。
    [3] 如申請專利範圍第1或第2項所述之溫度測定用板狀體，其中，前述板狀體係包含矽、碳化矽、氮化矽、III-V屬化合物半導體、II-VI屬化合物半導體中之任一種。
    [4] 如申請專利範圍第1或第2項所述之溫度測定用板狀體，其中，前述加熱構件係由絕緣膜所包覆。
    [5] 如申請專利範圍第2項所述之溫度測定用板狀體，其中，前述絕緣性接著劑係包含丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑、聚醯亞胺聚醯胺系接著劑中之任一種。
    [6] 如申請專利範圍第1或第2項所述之溫度測定用板狀體，其中，將熱電耦連接在前述溫度測定區域而構成。
    [7] 一種溫度測定裝置，係具備申請專利範圍第1或第2項所述之溫度測定用板狀體。
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    TW201504603A|2015-02-01|用以量測熱通量之方法及系統
    TW201032286A|2010-09-01|Method for identifying an incorrect position of a semiconductor wafer during a thermal treatment
    JP2016100601A|2016-05-30|ウエハー及び薄膜温度の制御方法
    TW201135199A|2011-10-16|Wafer-type temperature sensor and manufacturing method thereof
    TW201706552A|2017-02-16|溫度控制裝置、溫度控制方法及程式
    TW403835B|2000-09-01|The method of temperature measurement used in calibration regardless of the emitting rate and the apparatus thereof
    TW201543533A|2015-11-16|處理系統及校準工件製程、驗證工件製造製程及在高溫處理工件的方法
    TWI533411B|2016-05-11|用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組
    JP2860144B2|1999-02-24|板状体の温度測定装置
    TWI719103B|2021-02-21|用於製造半導體之晶圓支撐結構及元件
    KR100413646B1|2003-12-31|온도검출소자
    JP2006135126A|2006-05-25|半導体基板の熱処理方法
    JP6464765B2|2019-02-06|熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
    JP4038135B2|2008-01-23|熱処理基板の温度計測方法
    Paquette et al.2011|Temperature mapping using single wavelength pyrometry during epitaxial growth
    JP2008098214A|2008-04-24|熱処理温度の補正方法及び熱処理方法
    JP2014532164A|2014-12-04|真空室内における基板の温度測定方法
    TW202025326A|2020-07-01|製程溫度量測裝置製造技術與其之校正及資料內插之方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    WO2013031596A1|2013-03-07|
    JP2013046035A|2013-03-04|
    TWI540675B|2016-07-01|
    US10502639B2|2019-12-10|
    JP5915026B2|2016-05-11|
    US20140204975A1|2014-07-24|
    KR20140057270A|2014-05-12|
    KR101783362B1|2017-09-29|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US5580388A|1993-01-21|1996-12-03|Moore Epitaxial, Inc.|Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors|
    JP3208029B2|1994-11-22|2001-09-10|株式会社巴川製紙所|静電チャック装置およびその作製方法|
    US6071630A|1996-03-04|2000-06-06|Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.|Electrostatic chuck|
    US5740016A|1996-03-29|1998-04-14|Lam Research Corporation|Solid state temperature controlled substrate holder|
    JP3236533B2|1997-07-02|2001-12-10|松下電器産業株式会社|静電吸着電極装置|
    JP3663035B2|1997-07-30|2005-06-22|川惣電機工業株式会社|半導体ウエハ熱処理炉用の測温ウエハ|
    US6222161B1|1998-01-12|2001-04-24|Tokyo Electron Limited|Heat treatment apparatus|
    JPH11354260A|1998-06-11|1999-12-24|Shin Etsu Chem Co Ltd|複層セラミックスヒータ|
    US6256187B1|1998-08-03|2001-07-03|Tomoegawa Paper Co., Ltd.|Electrostatic chuck device|
    JP3586386B2|1999-03-05|2004-11-10|株式会社東芝|半導体装置の製造装置|
    US6100506A|1999-07-26|2000-08-08|International Business Machines Corporation|Hot plate with in situ surface temperature adjustment|
    JP2001118664A|1999-08-09|2001-04-27|Ibiden Co Ltd|セラミックヒータ|
    JP3273773B2|1999-08-12|2002-04-15|イビデン株式会社|半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ|
    EP1133214B1|1999-09-07|2005-08-10|Ibiden Co., Ltd.|Ceramic heater|
    US6740853B1|1999-09-29|2004-05-25|Tokyo Electron Limited|Multi-zone resistance heater|
    US6448575B1|1999-10-08|2002-09-10|Teradyne, Inc.|Temperature control structure|
    AT301916T|1999-11-19|2005-08-15|Ibiden Co Ltd|Keramisches heizgerät|
    US6410172B1|1999-11-23|2002-06-25|Advanced Ceramics Corporation|Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition|
    JP3228924B2|2000-01-21|2001-11-12|イビデン株式会社|半導体製造・検査装置用セラミックヒータ|
    WO2001080601A1|2000-04-14|2001-10-25|Ibiden Co., Ltd.|Dispositif de chauffage en ceramique|
    WO2001084886A1|2000-05-02|2001-11-08|Ibiden Co., Ltd.|Dispositif de chauffage en ceramique|
    JP3859937B2|2000-06-02|2006-12-20|住友大阪セメント株式会社|静電チャック|
    KR20010111058A|2000-06-09|2001-12-15|조셉 제이. 스위니|전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법|
    WO2002007195A1|2000-07-19|2002-01-24|Ibiden Co., Ltd.|Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs, son procede de fabrication, et son systeme de fabrication|
    AU1296302A|2000-10-25|2002-05-06|Tokyo Electron Ltd|Method of and structure for controlling electrode temperature|
    CN1473452A|2001-07-09|2004-02-04|IBIDEN�ɷ����޹�˾|陶瓷加热器与陶瓷接合体|
    JP2002203663A|2000-12-27|2002-07-19|Ibiden Co Ltd|半導体産業用セラミックヒータ|
    US6741446B2|2001-03-30|2004-05-25|Lam Research Corporation|Vacuum plasma processor and method of operating same|
    JP3582518B2|2001-04-18|2004-10-27|住友電気工業株式会社|抵抗発熱体回路パターンとそれを用いた基板処理装置|
    JP3825277B2|2001-05-25|2006-09-27|東京エレクトロン株式会社|加熱処理装置|
    JP3973872B2|2001-10-17|2007-09-12|住友大阪セメント株式会社|電極内蔵型サセプタ及びその製造方法|
    JP4008230B2|2001-11-14|2007-11-14|住友大阪セメント株式会社|静電チャックの製造方法|
    JP3936584B2|2002-01-08|2007-06-27|荏原バラード株式会社|燃料電池発電システム|
    JP3963788B2|2002-06-20|2007-08-22|信越化学工業株式会社|静電吸着機能を有する加熱装置|
    JP3962661B2|2002-08-30|2007-08-22|三菱重工業株式会社|静電チャック支持機構及び支持台装置及びプラズマ処理装置|
    KR100889758B1|2002-09-03|2009-03-20|삼성모바일디스플레이주식회사|유기박막 형성장치의 가열용기|
    US6979805B2|2003-01-08|2005-12-27|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Fuel-cell resistors and methods|
    JP2004228334A|2003-01-23|2004-08-12|Komatsu Ltd|温調装置|
    JP2004296553A|2003-03-25|2004-10-21|Ngk Insulators Ltd|半導体製造装置用部材|
    JP2005136025A|2003-10-29|2005-05-26|Trecenti Technologies Inc|半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ|
    TWI281833B|2004-10-28|2007-05-21|Kyocera Corp|Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater|
    US20060008676A1|2004-07-07|2006-01-12|General Electric Company|Protective coating on a substrate and method of making thereof|
    US7645342B2|2004-11-15|2010-01-12|Cree, Inc.|Restricted radiated heating assembly for high temperature processing|
    JP5478065B2|2005-08-17|2014-04-23|アプライドマテリアルズインコーポレイテッド|ロウ付けプレートおよび抵抗ヒーターを有する基板サポート|
    WO2007048573A1|2005-10-24|2007-05-03|Heraeus Sensor Technology Gmbh|Strömungssensorelement und dessen selbstreinigung|
    US7568399B2|2006-01-05|2009-08-04|Integrated Sensing Systems, Inc.|Microfluidic device|
    US7646581B2|2006-01-31|2010-01-12|Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.|Electrostatic chuck|
    JP5210491B2|2006-02-03|2013-06-12|日立オートモティブシステムズ株式会社|熱式流量センサ|
    JP4756695B2|2006-02-20|2011-08-24|コバレントマテリアル株式会社|面状ヒータ|
    US8226769B2|2006-04-27|2012-07-24|Applied Materials, Inc.|Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones|
    US8168050B2|2006-07-05|2012-05-01|Momentive Performance Materials Inc.|Electrode pattern for resistance heating element and wafer processing apparatus|
    US9275887B2|2006-07-20|2016-03-01|Applied Materials, Inc.|Substrate processing with rapid temperature gradient control|
    US7619870B2|2006-08-10|2009-11-17|Tokyo Electron Limited|Electrostatic chuck|
    JP2008170382A|2007-01-15|2008-07-24|Hitachi Ltd|熱式流体流量センサ及びその製造方法|
    US7741584B2|2007-01-21|2010-06-22|Momentive Performance Materials Inc.|Encapsulated graphite heater and process|
    KR101114304B1|2007-02-28|2012-03-13|가부시키가이샤 야마다케|유량 센서|
    JP5202007B2|2008-01-29|2013-06-05|日立オートモティブシステムズ株式会社|熱式流体流量センサ|
    US8883564B2|2009-02-12|2014-11-11|Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha|Substrate comprising aluminum/graphite composite, heat dissipation part comprising same, and LED luminescent member|
    JP5178598B2|2009-03-24|2013-04-10|日立オートモティブシステムズ株式会社|熱式流量計|
    JP4976469B2|2009-08-28|2012-07-18|日立オートモティブシステムズ株式会社|熱式湿度センサ|
    JP5496630B2|2009-12-10|2014-05-21|東京エレクトロン株式会社|静電チャック装置|
    JP5459907B2|2010-01-27|2014-04-02|東京エレクトロン株式会社|基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板|
    JP5423632B2|2010-01-29|2014-02-19|住友大阪セメント株式会社|静電チャック装置|
    JP5107372B2|2010-02-04|2012-12-26|東京エレクトロン株式会社|熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体|
    JP5994772B2|2011-03-23|2016-09-21|住友大阪セメント株式会社|静電チャック装置|
    WO2013047555A1|2011-09-28|2013-04-04|住友大阪セメント株式会社|静電チャック装置|EP3168859A1|2015-11-11|2017-05-17|Ricoh Company, Ltd.|Ion generation device and iondetection device|
    JP6256454B2|2015-11-30|2018-01-10|株式会社デンソー|ヒータプレート、このヒータプレートを用いる熱流束センサの製造装置、このヒータプレートの製造方法、及び、このヒータプレートの製造装置|
    KR20170107627A|2016-03-15|2017-09-26|삼성전자주식회사|정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치|
    JP2018063974A|2016-10-11|2018-04-19|東京エレクトロン株式会社|温度制御装置、温度制御方法、および載置台|
    TW201944037A|2018-04-03|2019-11-16|日商東京威力科創股份有限公司|熱電偶固定治具|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011185124A|JP5915026B2|2011-08-26|2011-08-26|温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置|
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